IRS2301SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRS2301SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.35A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC Tube/Bulk

Наличие: 28 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 131.16

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC3574600

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRS2301SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS2301SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC3574600
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	5.00V (min)
Время Нарастания/Спада	130ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходной Ток	200 mA
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время Нарастания	220 ns
Время падения	80 ns
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	5V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	5 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRS2301SPBF описание продукта

The IRS2301SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3, 5 and 15V Input logic compatible
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs
Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Показывать

IRS2301SPBF Даташит PDF

15 страницы, 391 КБ

10/01/2009