IRS2184SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRS2184SPBF

Infineon

600V Half Bridge Driver IC with typical 1.9A source and 2.3A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PIDP, 14 Lead SOIC, 14 Lead PDIP, and 14 Lead MLPQ 4x4.

Наличие: 12,248 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 124.64

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC3303200

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRS2184SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS2184SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC3303200
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Номинальная Мощность	625 mW
Время Нарастания/Спада	40ns, 20ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	1.9.2.3 A
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время Нарастания	60 ns
Время падения	35 ns
Время падения (Макс)	35 ns
Время падения (Макс)	60 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRS2184SPBF описание продукта

The IRS2184SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3 and 5V Input logic compatible
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground ±5V offset
Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Показывать

IRS2184SPBF Даташит PDF

30 страницы, 1590 КБ

12/01/2008