IRG4BC30FDPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRG4BC30FDPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Наличие: 9,169 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 182.65

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11497458

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRG4BC30FDPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRG4BC30FDPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11497458
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	45 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	100 W
Время Нарастания	26.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	42 ns
Максимальная входная мощность	100 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	100000 mW
Длина	10.54 mm
Ширина	4.69 mm
Высота	8.77 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRG4BC30FDPBF описание продукта

The IRG4BC30FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
Optimized for specific application conditions
Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Показывать

IRG4BC30FDPBF Даташит PDF

10 страницы, 392 КБ

01/26/2010