IRFR1205TRPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFR1205TRPBF

Infineon

DPAK N-CH 55V 44A

Наличие: 5,721 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 34.56

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC2682540

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFR1205TRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFR1205TRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC2682540
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальная Мощность	69 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.027 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	107 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	44A
Время Нарастания	69 ns
Входная емкость (Ciss)	1300pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	107 W
Время падения	60 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	107W (Tc)
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFR1205TRPBF описание продукта

The IRFR1205TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
Fully avalanche rating
Low static drain-to-source ON-resistance
Dynamic dV/dt rating

Показывать

IRFR1205TRPBF Даташит PDF

11 страницы, 394 КБ

12/09/2004