IRF9Z24NPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF9Z24NPBF

Infineon

TO-220AB P-CH 55V 12A

Наличие: 213 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 67.35

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC967873

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 15.05.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF9Z24NPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF9Z24NPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC967873
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	45 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.175 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	45 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	350 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	12A
Время Нарастания	55 ns
Входная емкость (Ciss)	350pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	45 W
Время падения	37 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	45W (Tc)
Длина	10 mm
Ширина	4.4 mm
Высота	8.77 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF9Z24NPBF описание продукта

The IRF9Z24NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
Advanced process technology
Dynamic dV/dt rating
Fully avalanche rated
175°C Operating temperature

Показывать

IRF9Z24NPBF Даташит PDF

9 страницы, 506 КБ

02/05/2004

просматривать

IRF9Z24NPBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRF9Z24NPBF Другие Даташит

27 страницы, 311 КБ

02/27/2017

просматривать

IRF9Z24NPBF Чертежные схемы

2 страницы, 176 КБ

08/19/2015

просматривать

IRF9Z24NPBF Примечание по применению

37 страницы, 2068 КБ

01/09/2017

просматривать

IRF9Z24NPBF Файл уведомления

5 страницы, 45 КБ

11/29/2012

просматривать

IRF9Z24NPBF Другие ссылки

1 страницы, 144 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/05/15 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H7.3382LO20645V10Q0QC0S0