IRF7311TRPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF7311TRPBF

Infineon

SOIC N-CH 20V 6.6A

Наличие: 78 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 37.93

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5414600

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.07.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF7311TRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF7311TRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5414600
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2 W
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.023 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	700 mV
Входная Ёмкость	900 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	20 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	6.6A
Время Нарастания	17 ns
Входная емкость (Ciss)	900pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Время падения	31 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2000 mW
Длина	5 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF7311TRPBF описание продукта

The IRF7311TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
Generation V technology
Ultra low ON-resistance
Surface-mount device
Fully avalanche rated

Показывать

IRF7311TRPBF Даташит PDF

7 страницы, 1974 КБ

04/23/2004