IR25606SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR25606SPBF

Infineon

Infineon IR25606SPBF, Dual MOSFET Power Driver, -350mA, 20mA Half Bridge, 10 → 20V, Inverting, 8Pin SOIC

Наличие: 36 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 36.84

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC13264908

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR25606SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR25606SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC13264908
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	150ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	10.20 V
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR25606SPBF описание продукта

The IR25606SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation to 600V
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3, 5 and 15V Input logic input compatible
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground ±5V offset
Internal 540ns dead-time
Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Показывать

IR25606SPBF Даташит PDF

11 страницы, 403 КБ

05/01/2013