IR2184PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2184PBF

Infineon

600V Half Bridge Driver IC with typical 1.9A source and 2.3A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, 14 Lead PDIP.

Наличие: 10,810 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 136.40

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC4849917

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2184PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2184PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC4849917
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	40ns, 20ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	10.20 V
Выходной Ток	1.4.2.3 A
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Ток Покоя	1 mA
Время Нарастания	40 ns
Время падения	20 ns
Время падения (Макс)	35 ns
Время падения (Макс)	60 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2184PBF описание продукта

The IR2184PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
Under-voltage lockout for both channels
Matched propagation delay for both channels
Lower DI/DT gate driver for better noise immunity
Logic and power ground ±5V offset

Показывать

IR2184PBF Даташит PDF

24 страницы, 295 КБ

04/05/2006