IR2125PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2125PBF

Infineon

MOSFET DRVR 500V 3.3A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP

Наличие: 9,761 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 210.49

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC2372326

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2125PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2125PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC2372326
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Напряжение Питания (DC)	0.00V(min), 18.0V(max)
Рабочее Напряжение	0V ~ 18V
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	43ns, 26ns
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Выходное Напряжение	518 V
Выходной Ток	1.6 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Ток Покоя	700 µA
Время Нарастания	43 ns
Время падения	26 ns
Время падения (Макс)	35 ns
Время падения (Макс)	60 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	0V ~ 18V
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	0 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2125PBF описание продукта

The IR2125PBF is a 1-channel high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with over-current limiting protection circuitry. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs and down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle-by-cycle shutdown is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting conditions and latched shutdown. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 500V.
Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
Under-voltage lockout
Current detection and limiting loop to limit driven power transistor current
Error lead indicates fault conditions and programs shutdown time
Output in phase with input

Показывать

IR2125PBF Даташит PDF

17 страницы, 211 КБ

09/19/2004