IR2109PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2109PBF

Infineon

600V Half Bridge Driver IC with typical 0.2A source and 0.35A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.

Наличие: 36 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 181.86

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC34107454

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2109PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2109PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC34107454
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Время Нарастания/Спада	150ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходной Ток	120 mA
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Время Нарастания	220ns (Max)
Время падения	80ns (Max)
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2109PBF описание продукта

The IR2109PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3, 5 and 15V Logic input compatible
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
High-side output in phase with IN input
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Shut down input turns OFF both channels

Показывать

IR2109PBF Даташит PDF

25 страницы, 351 КБ

09/13/2004