IR2103SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2103SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.36A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

Наличие: 1,102 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 98.77

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10795746

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2103SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2103SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10795746
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	100ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	620 V
Выходной Ток	270 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время падения (Макс)	90 ns
Время падения (Макс)	170 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2103SPBF описание продукта

The IR2103SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout
3.3, 5 and 15V Logic input compatible
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
Internal set dead-time
High-side output in phase with HIN input
Low-side output out of phase with LIN input

Показывать

IR2103SPBF Даташит PDF

18 страницы, 1098 КБ

04/25/2013