INA129MDREP Купить - TI Буферный усилитель

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

INA129MDREP

IC OPAMP INSTR 1.3MHz 8SOIC

Наличие: 1,039 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 2,413.36

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC5806065

Категория продукта:

Буферный усилитель

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

INA129MDREP характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	INA129MDREP
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC5806065
Категория продукта	Буферный усилитель
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Ток Питания	700 µA
Количество Цепей	1 Circuit
Количество Каналов	1 Channel
Коэффициент Ослабления Синфазного Сигнала	120 dB
Ток Покоя	700 µA
Входное Напряжение Смещения	0.1 mV
Входной Ток Смещения	8 nA
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Полоса пропускания 3 дБ	200 kHz
Минимальный диапазон CMRR	120 dB
Напряжение питания (Макс)	30V ~ 50V
Напряжение питания (мин)	4.5 V
Рабочая Температура	-55℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

INA129MDREP описание продукта

The INA129-EP device is a low power, general-purpose instrumentation amplifier offering excellent accuracy. The versatile 3-op amp design and small size make the device ideal for a wide range of applications. Current-feedback input circuitry provides wide bandwidth even at high gain (200 kHz at G = 100).
A single external resistor sets any gain from 1 to 10,000. The INA129-EP provides an industry-standard gain equation; the INA129-EP gain equation is compatible with the AD620.
The INA129-EP device is laser trimmed for very low offset voltage, drift, and high common-mode rejection (113 dB at G ≥ 100). It operates with power supplies as low as ±2.25 V, and quiescent current is only 750 µA–ideal for battery operated systems. Internal input protection can withstand up to ±40 V without damage.
The INA129-EP is available in a 8-Pin SOIC surface-mount package specified for the 55°C to 125°C temperature range.

Показывать

INA129MDREP Даташит PDF

22 страницы, 1251 КБ

07/14/2011

просматривать

INA129MDREP Даташит PDF

26 страницы, 1202 КБ

09/13/2016

просматривать

INA129MDREP Даташит PDF

26 страницы, 1202 КБ

12/25/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/11/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.54691LO36668V48Q0QC0S0