IGW25T120 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IGW25T120

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 743 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 500.13

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10149729

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IGW25T120 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IGW25T120
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10149729
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	190 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	190 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Максимальная входная мощность	190 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	190 W
Длина	16.13 mm
Ширина	5.21 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IGW25T120 описание продукта

Summary of Features:
Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Benefits:
Highest efficiency – low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
High device reliability

Показывать

IGW25T120 Даташит PDF

12 страницы, 350 КБ

11/18/2009