HGTP7N60C3D Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

HGTP7N60C3D

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTP7N60C3D.. IGBT Single Transistor, 14A, 1.6V, 60W, 600V, TO-220AB, 3Pins

Наличие: 1,102 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 70.45

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC102448403

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

HGTP7N60C3D характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGTP7N60C3D
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC102448403
Жизненный Цикл Продукта	В производстве
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	14.0 A
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	60 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Максимальная входная мощность	60 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	60000 mW
Длина	10.28 mm
Ширина	4.57 mm
Высота	9.4 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃
Упаковка	Rail
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

HGTP7N60C3D описание продукта

General Description
The HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS and HGT1S7N60C3D are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is developmental type TA49115. The diode used in anti-parallel with the IGBT is developmental type TA49057.
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.
Features
• 14A, 600V at TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time...................140ns at TJ = 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode

Показывать

HGTP7N60C3D Даташит PDF

9 страницы, 558 КБ

просматривать

HGTP7N60C3D Даташит PDF

9 страницы, 550 КБ

03/28/2012

просматривать

HGTP7N60C3D Другие Даташит

10 страницы, 530 КБ

просматривать

HGTP7N60C3D Чертежные схемы

1 страницы, 97 КБ

10/28/2013

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H0.69613LO87132V30Q0QC0S0