HGTG30N60C3D Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

HGTG30N60C3D

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Наличие: 19,600 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 404.49

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11321465

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

HGTG30N60C3D характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGTG30N60C3D
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11321465
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	30.0 A
Номинальная Мощность	208 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	208 W
Время Нарастания	45.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	60 ns
Максимальная входная мощность	208 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	208000 mW
Длина	15.87 mm
Ширина	4.82 mm
Высота	20.82 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

HGTG30N60C3D описание продукта

The HGTG30N60C3D is a N-channel IGBT with anti-parallel hyperfast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.
Short-circuit rating
230ns Fall time @ TJ = 150°C
208W Total power dissipation @ TC = 25°C

Показывать

HGTG30N60C3D Даташит PDF

8 страницы, 269 КБ