FQPF12N60CT Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FQPF12N60CT

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube

Наличие: 1,271 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 0.00

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC162194240

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FQPF12N60CT характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FQPF12N60CT
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC162194240
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	12.0 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	530 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	51 W
Входная Ёмкость	1.90 nF
Заряд Затвора	54.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	5.80 A
Время Нарастания	85 ns
Входная емкость (Ciss)	2290pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	51 W
Время падения	90 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	51W (Tc)
Длина	10.67 mm
Ширина	4.7 mm
Высота	16.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Unknown
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FQPF12N60CT описание продукта

Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devicesare well suited for high
efficient switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology.
Features
• 12A, 600V, RDS(on)= 0.65Ω@VGS= 10 V
• Low gate charge ( typical 48 nC)
• Low Crss ( typical 21 pF)
•Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability

Показывать

FQPF12N60CT Даташит PDF

10 страницы, 1171 КБ

09/24/2007

просматривать

FQPF12N60CT Другие Даташит

9 страницы, 1161 КБ

02/14/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H0.4LO85858V22Q0QC0S0