FFP08S60STU Купить - Fairchild Телевизионные диоды

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FFP08S60STU

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FFP08S60STU Standard Power Diode, 600V, 8A, Single, 2.6V, 30ns, 80A

Наличие: 2,075 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 57.22

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC55247666

Категория продукта:

Телевизионные диоды

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FFP08S60STU характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FFP08S60STU
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC55247666
Категория продукта	Телевизионные диоды
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-2
Выходной Ток	≤8.00 A
Напряжение в Прямом Направлении	2.6V @8A
Полярность	Standard
Тепловое Сопротивление	2.5℃/W (RθJC)
Обратное время восстановления	30 ns
Прямой ток	8 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	80 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	2.6 V
Прямой ток (макс)	8 A
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Длина	9.9 mm
Ширина	4.5 mm
Высота	9.2 mm
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FFP08S60STU описание продукта

The FFP08S60STU is a STEALTH™ II Diode offers soft recovery characteristics. It is silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction. This device is intended for use as freewheeling of boost diode in switching power supplies and other power switching applications. Their low stored charge and Hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical noise in many power switching circuits reducing power loss in the switching transistors.
<30ns at IF=8A Stealth recovery
Avalanche energy rated

Показывать

FFP08S60STU Даташит PDF

5 страницы, 333 КБ

10/04/1996