FDT3612 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDT3612

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Наличие: 870 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 40.76

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC69175725

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDT3612 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDT3612
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC69175725
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Номинальное Напряжение (DC)	100 V
Номинальный Ток	3.70 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	120 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	3 W
Пороговое Напряжение	2.5 V
Входная Ёмкость	632 pF
Заряд Затвора	14.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	100 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	10.2 A
Время Нарастания	2 ns
Входная емкость (Ciss)	632pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	1.1 W
Время падения	4.5 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3 W
Длина	6.5 mm
Ширина	3.56 mm
Высота	1.6 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDT3612 описание продукта

The FDT3612 is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
Fast switching speed
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
14nC Typical low gate charge

Показывать

FDT3612 Даташит PDF

7 страницы, 322 КБ