FDS3580 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDS3580

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8Pin SOIC N T/R

Наличие: 1,064 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 91.73

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC87293014

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 20.05.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDS3580 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDS3580
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC87293014
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальное Напряжение (DC)	80.0 V
Номинальный Ток	7.60 A
Количество Каналов	1 Channel
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	22 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Входная Ёмкость	1.80 nF
Заряд Затвора	34.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	80 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	80 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	7.60 A
Время Нарастания	8 ns
Входная емкость (Ciss)	1800pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	1 W
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta)
Длина	4.9 mm
Ширина	3.9 mm
Высота	1.575 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDS3580 описание продукта

General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON)
specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features
• 7.6 A, 80 V. RDS(ON)= 0.027 Ω @ VGS= 10 V
RDS(ON)= 0.031 Ω @ VGS= 6 V.
• Low gate charge (34nC typical).
• Fast switching speed.
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON).
• High power and current handling capability.

Показывать

FDS3580 Даташит PDF

5 страницы, 81 КБ

12/08/2000

просматривать

FDS3580 Другие Даташит

10 страницы, 890 КБ

01/03/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/05/20 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.31405LO44203V9Q0QC0S0