FDB8030L Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDB8030L

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8030L MOSFET Transistor, N Channel, 80A, 30V, 0.0031Ω, 10V, 1.5V

Наличие: 7,278 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 178.73

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC66938433

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDB8030L характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDB8030L
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC66938433
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальное Напряжение (DC)	30.0 V
Номинальный Ток	80.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0031 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	187 W
Пороговое Напряжение	1.5 V
Входная Ёмкость	10.5 nF
Заряд Затвора	120 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	80.0 A
Время Нарастания	185 ns
Входная емкость (Ciss)	10500pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	187 W
Время падения	200 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	187W (Tc)
Длина	10.97 mm
Ширина	9.65 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDB8030L описание продукта

The FDB8030L is a logic level N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster-switching and lower gate charge than other MOSFETS with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency. The rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.
Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Показывать

FDB8030L Даташит PDF

5 страницы, 172 КБ