BSC160N15NS5ATMA1 Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon

TDSON N-CH 100V 8.8A

Наличие: 43,381 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 164.01

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC75238021

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BSC160N15NS5ATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BSC160N15NS5ATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC75238021
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	TDSON-8
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0137 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	96 W
Пороговое Напряжение	3.8 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	150 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	8.8A
Время Нарастания	3 ns
Входная емкость (Ciss)	1370pF @75V(Vds)
Время падения	2.6 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	96000 mW
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус
	Показывать Просмотр аналоги замена

BSC160N15NS5ATMA1 описание продукта

Description:
The new OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Summary of Features:
Lower R DS(on) without compromising FOM gd and FOM oss
Lower output charge
Ultra-low reverse recovery charge
Increased commutation ruggedness
Higher switching frequency possible
Benefits:
Reduced paralleling
Size reduction enabled with SuperSO8 best-in-class
Higher power density designs
More rugged products
System cost reduction
Improved EMI behavior

Показывать

BSC160N15NS5ATMA1 Даташит PDF

BSC160N15NS5ATMA1 Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017