BSC080N03LS G Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BSC080N03LS G

Infineon

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin TDSON EP

Наличие: 9,490 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 47.03

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC9820687

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BSC080N03LS G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BSC080N03LS G
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC9820687
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PG-TDSON
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0067 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	35 W
Пороговое Напряжение	2.2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Время Нарастания	2.8 ns
Входная емкость (Ciss)	1700pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	35 W
Время падения	2.6 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5 W
Длина	5.9 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	1.27 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

BSC080N03LS G описание продукта

The BSC080N03LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
Easy to design in
Increased battery lifetime
Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
Saving space
Reducing power losses
Optimized for high performance Buck converter
Fast switching MOSFET for SMPS
Qualified according to JEDEC for target applications
Logic level
Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
Very low ON-resistance RDS (ON)
Superior thermal resistance
Avalanche rated
Halogen-free, Green device

Показывать

BSC080N03LS G Даташит PDF

10 страницы, 522 КБ

05/17/2013