BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | BS108G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC172380637 | |
| Жизненный Цикл Продукта | В производстве | |
| Категория продукта | Труба MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-92-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 200 V | |
| Номинальный Ток | 250 mA | |
| Номинальная Мощность | 800 mW | |
| Количество Каналов | 1 Channel | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 8 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 350 mW | |
| Пороговое Напряжение | 1.5 V | |
| Входная Ёмкость | 150 pF | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 200 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 200 V | |
| Пробивное Напряжение (Затвор-Исток) | ±20.0 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 250 mA | |
| Входная емкость (Ciss) | 150pF @25V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 350 mW | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 350mW (Ta) | |
| Длина | 5.2 mm | |
| Ширина | 4.19 mm | |
| Высота | 5.33 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Bulk | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2014/12/17 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
