BFP640H6327XTSA1 Купить - Infineon Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BFP640H6327XTSA1

Infineon

Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Наличие: 68,748 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 12.04

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC21069623

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 28.04.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

BFP640H6327XTSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BFP640H6327XTSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC21069623
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-343-4
Частота	40000 MHz
Количество Стежков	4 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	200 mW
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	4.5 V
Усиление	12.5 dB
hFE Min	110 @30mA, 3V
Максимальная входная мощность	200 mW
Усиление постоянного тока (hFE)	110
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200 mW
Длина	2 mm
Ширина	1.25 mm
Высота	0.9 mm
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

BFP640H6327XTSA1 описание продукта

The BFP 640 H6327 is a NPN low-noise Bipolar RF Transistor based on Infineon"s reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA this device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 40GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 8GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.
Linear low-noise wide band transistor
High linearity
High transition frequency
Low power consumption
Easy to use
Halogen-free

Показывать

BFP640H6327XTSA1 Даташит PDF

28 страницы, 1364 КБ

03/20/2015