BDW47 Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BDW47

ON Semiconductor

TO-220-3 PNP 100V 15A

Наличие: 6,081 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 102.69

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC122172696

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BDW47 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BDW47
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC122172696
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	-100 V
Номинальный Ток	-15.0 A
Полярность	PNP
Рассеяние Мощности	85 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	100 V
Непрерывный ток коллектора	15A
hFE Min	1000 @5A, 4V
Максимальная входная мощность	85 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Длина	10.28 mm
Ширина	4.82 mm
Высота	9.28 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Unknown
Упаковка	Tube
Минимальное количество упаковки	50
RoHS Комплаенс	Non-Compliant
Бессвинцовая Статус	Contains Lead
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

BDW47 описание продукта

This series of plastic, medium-power NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. The BDW42, BDW46 and BDW47 are complementary devices.
Features
---
|
High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc.
Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDW46
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDW42/BDW47
Low Collector Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 2.0 Vdc (max.) @ IC = 5.0 Adc
VCE(sat) = 3.0 Vdc (max.) @ IC = 10.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base Emitter Shunt resistors
TO-220AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available

Показывать

BDW47 Даташит PDF

7 страницы, 140 КБ

03/28/2012

просматривать

BDW47 Даташит PDF

7 страницы, 84 КБ

08/01/2016

просматривать

BDW47 Другие Даташит

10 страницы, 158 КБ

05/28/2010

просматривать

BDW47 Другие Даташит

8 страницы, 234 КБ

08/01/2016

просматривать

BDW47 Другие Даташит

7 страницы, 100 КБ

11/16/2007

просматривать

BDW47 Чертежные схемы

2 страницы, 31 КБ

08/28/2014

просматривать

BDW47 Примечание по применению

7 страницы, 110 КБ

11/11/2014

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.73645LO29943V70Q0QC0S0