Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | APT50GT60BRDQ2G | |
Производитель | Microsemi | |
ЧипСити Номер продукта | CC68898596 | |
Категория продукта | Транзистор IGBT | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Through Hole | |
Количество Выводов | 3 Pin | |
Корпус/Пакет | TO-247-3 | |
Номинальное Напряжение (DC) | 600 V | |
Номинальный Ток | 110 A | |
Рассеяние Мощности | 446000 mW | |
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 600 V | |
Обратное время восстановления | 22 ns | |
Максимальная входная мощность | 446 W | |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 446000 mW | |
Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Active | |
Упаковка | Tube | |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
ECCN кодекс | EAR99 | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн