2N6341 Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

2N6341

ON Semiconductor

TO-204-2 NPN 150V 25A

Наличие: 16,943 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 777.51

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC128548267

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 28.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

2N6341 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	2N6341
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC128548267
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-204-2
Номинальное Напряжение (DC)	150 V
Номинальный Ток	25.0 A
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	200 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	150 V
Непрерывный ток коллектора	25A
hFE Min	30 @10A, 2V
hFE Max	120
Максимальная входная мощность	200 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200000 mW
Длина	39.37 mm
Ширина	26.67 mm
Высота	8.51 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-65℃ ~ 200℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Unknown
Упаковка	Tray
Минимальное количество упаковки	100
RoHS Комплаенс	Non-Compliant
Бессвинцовая Статус	Contains Lead
	Показывать Просмотр аналоги замена

2N6341 описание продукта

The Power 25A 150 V Bipolar NPN Transistor is designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications.
Features
---
|
High Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 2N6338
VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - 2N6341
High DC Current Gain
hFE = 30 - 120 @ IC = 10 Adc
hFE = 12 (Min) @ IC = 25 Adc
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
Fast Switching Times @ IC = 10 Adc
tr = 0.3 µs (Max)
ts = 1.0 µs (Max)
tf = 0.25 µs (Max)
These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

Показывать

2N6341 Даташит PDF

5 страницы, 145 КБ

10/03/2011

просматривать

2N6341 Даташит PDF

5 страницы, 142 КБ

03/28/2012

просматривать

2N6341 Другие Даташит

22 страницы, 73 КБ

11/10/2009

просматривать

2N6341 Другие Даташит

4 страницы, 67 КБ

05/08/2001

просматривать

2N6341 Чертежные схемы

1 страницы, 33 КБ

10/15/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/10/28 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.4838LO33798V111Q0QC0S0