2EDN8524FXTMA1 Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

2EDN8524FXTMA1

Infineon

MOS Power Transistors HV (>= 200V)

Наличие: 10,345 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 33.71

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC12218693

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

2EDN8524FXTMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	2EDN8524FXTMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC12218693
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PG-DSO-8
Напряжение Питания (DC)	4.50V (min)
Время Нарастания/Спада	5.3ns, 4.5ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Количество Стежков	8 Position
Время падения (Макс)	4.5 ns
Время падения (Макс)	5.3 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	4.5V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	4.5 V
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

2EDN8524FXTMA1 описание продукта

Description:
The input signals are low voltage TTL and 3.3V CMOS-compatible with a very broad voltage handling capability of up to +20V and down to -10VDC. The unique ability to handle -10VDC at the input pins protects the device against ground bouncing. Each of the two outputs is able to sink and source a 5A current utilizing a true rail-to-rail output stage, which ensures very low impedances of 0.7Ω up to the positive and 0.55Ω down to the negative
rail respectively.
Excellent channel to channel delay matching, typ. 1ns, enables risk-free doubling of the source and sink capability up to 10A peak through paralleling of both channels. The combination of industry standard pin-outs and different logic input/output configurations guarantee high flexibility and shortens R&D time. The gate driver is available in the three package options: PG-DSO-8-pin, PG-VDSON-8-pin and PG-TDSSO-8-pin (small form-factor, improved thermal performance compared to DSO-8).
Summary of Features:
5A peak source/sink current
5ns (typ.) rise/fall times
< 10ns propagation delay tolerance
8V UVLO option
19 ns (typ.) propagation delay for both, for control inputs and for enable
-10V control and enable input
robustness
Outputs robust against reverse current
2 independent channels
< 1ns channel-to-channel miss-match
Industry standard pin-out and packages
Benefits:
Fast Miller plateau transition
Precise timing
Fast and reliable MOSFET turn-off, independent of control IC
Increased GND-bounce robustness
Saves switching diodes
Option to increase drive current by truly concurrent switching of 2 channels
Straight-forward design up-grades

Показывать

2EDN8524FXTMA1 Даташит PDF

31 страницы, 1077 КБ

08/18/2017