1N5819G Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

1N5819G

ON Semiconductor

Diode Schottky 40V 1A 2Pin DO-41 Bag

Наличие: 781 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 11.78

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC788725

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

1N5819G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	1N5819G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC788725
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	DO-204AL
Номинальное Напряжение (DC)	40.0 V
Номинальный Ток	1.00 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Выходной Ток	≤1.00 A
Количество Стежков	2 Position
Напряжение в Прямом Направлении	600mV @1A
Полярность	Standard
Тепловое Сопротивление	80℃/W (RθJA)
Максимальное напряжение пробоя	40 V
Прямой ток	1 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	25 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	600 mV
Прямой ток (макс)	1 A
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Температура соединения (Макс)	125 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1250 mW
Длина	5.2 mm
Ширина	2.7 mm
Высота	5.2 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Bulk
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

1N5819G описание продукта

The 1N5819G is an axial-leaded Schottky Barrier Rectifier with an epoxy molded case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal lead is readily solderable finish. This series employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifier in low-voltage, high-frequency inverter and freewheeling diodes.
Cathode indicated by polarity band
Extremely low forward voltage
Low stored charge and majority carrier conduction
Low power loss and high efficiency
48V Non-repetitive peak reverse voltage
28V RMS reverse voltage
80°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

1N5819G Даташит PDF

7 страницы, 76 КБ

07/05/2006