1N5819RLG Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

1N5819RLG

ON Semiconductor

Diode Schottky 40V 1A 2Pin DO-41 T/R

Наличие: 51,481 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 7.27

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC5293463

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

1N5819RLG характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	1N5819RLG
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC5293463
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	DO-41
Номинальное Напряжение (DC)	40.0 V
Номинальный Ток	1.00 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Выходной Ток	≤1.00 A
Ток Нагрузки	1 A
Количество Стежков	2 Position
Напряжение в Прямом Направлении	600mV @1A
Полярность	Standard
Тепловое Сопротивление	80℃/W (RθJA)
Прямой ток	1 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	25 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	600 mV
Прямой ток (макс)	1 A
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1250 mW
Длина	5.2 mm
Ширина	2.7 mm
Высота	2.7 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

1N5819RLG описание продукта

The 1N5819RLG is an axial-lead Schottky Rectifier with epoxy moulded case. This series employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
Cathode indicated by polarity band
Extremely low VF
Low stored charge, majority carrier conduction
Low-power loss/high-efficiency
All external surfaces corrosion-resistant

Показывать

1N5819RLG Даташит PDF

7 страницы, 76 КБ

07/05/2006