Основы полевых транзисторов: типы, принцип действия и методы проверки
Опубликовано 25.12.2025 • Просмотров 28

Основы полевых транзисторов: типы, принцип действия и методы проверки

Полевой транзистор (FET) представляет собой полупроводниковый элемент, в котором ток в цепи регулируется с помощью электрического поля. В отличие от биполярных транзисторов, где управление осуществляется током базы, здесь ключевую роль играет напряжение на затворе. Благодаря этому полевые транзисторы широко применяются в цифровых устройствах, усилителях и силовой электронике.

Структура полевого транзистора

Основные элементы и выводы

Каждый полевой транзистор оснащен тремя основными электродами:

  • Затвор (Gate) — электрод для подачи управляющего сигнала.
  • Сток (Drain) — вывод, через который проходит основной ток в цепь.
  • Исток (Source) — вывод, из которого ток выходит.

Транзисторы классифицируют по типу канала: n-канальные (самые распространенные благодаря лучшей подвижности электронов) и p-канальные.

Символы и структура JFET и MOSFET

Классификация полевых транзисторов

Выделяют два основных класса:

  • JFET (транзисторы с управляющим p-n-переходом) — часто используются в аналоговых схемах, где требуется низкий уровень шумов, например, в входных каскадах усилителей или сенсорных устройствах.
  • MOSFET (металл-оксид-полупроводник) — наиболее популярный тип в современной электронике. Затвор отделен от канала тонким слоем изолятора, что дает чрезвычайно высокое входное сопротивление и минимальный ток управления.
Структура MOSFET

Как протестировать полевой транзистор с помощью мультиметра

Проверка работоспособности полевого транзистора — важный навык для ремонта электроники или сборки схем. Для этого подойдет обычный цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов.

Шаг 1: Выявление короткого замыкания

Подключите щупы мультиметра к затвору и одному из остальных выводов (стоку или истоку). Прибор должен показывать бесконечное сопротивление (индикация "OL" или "1"). Если есть проводимость или звуковой сигнал — элемент неисправен (пробой затвора).

Шаг 2: Тестирование защитного диода (характерно для мощных MOSFET)

Многие силовые MOSFET имеют встроенный диод между стоком и истоком. Для n-канального типа: черный щуп на сток, красный — на исток. Должно отобразиться прямое падение напряжения (обычно 0,4–0,7 В). При обратной полярности проводимости быть не должно.

Шаг 3: Проверка управления каналом

  1. Разрядите затвор, коснувшись его и истока одновременно.
  2. Зарядите емкость затвора: красный щуп на затвор, черный — на исток.
  3. Переместите красный щуп на сток — при открытом канале сопротивление между стоком и истоком должно стать низким.
  4. Для закрытия канала разрядите затвор, снова соединив его с истоком (можно пальцем или проводом).
Схема проверки MOSFET мультиметром Пошаговая диаграмма тестирования полевого транзистора

Почему стоит быть осторожным

Полевые транзисторы крайне уязвимы к статическому электричеству. Касание выводов без защиты может привести к скрытым повреждениям. Всегда проверяйте компоненты перед установкой в схему — это поможет избежать лишних проблем.

Итог

Мы рассмотрели ключевые аспекты полевых транзисторов: их структуру, разновидности и простые способы диагностики. Если вам нужно приобрести компоненты для экспериментов или ремонта, рекомендуем воспользоваться удобным поиском полевых транзисторов и других компонентов на специализированном ресурсе. В дальнейших материалах можно подробнее разобрать характеристики, такие как пороговое напряжение и RDS(on) — сопротивление в открытом состоянии.

Мы являемся профессиональным дистрибьютором электронных компонентов. Глобальная цепочка поставок, локализованные услуги.Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами немедленно, и мы ответим как можно скорее
Поделиться этим постом