ZTX649 Купить - Diodes Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

ZTX649

Diodes

Trans GP BJT NPN 25V 2A 1000mW Automotive 3Pin E-Line

Наличие: 946 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 45.47

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Diodes

ЧипСити Номер продукта:

CC27992775

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

ZTX649 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	ZTX649
Производитель	Diodes
ЧипСити Номер продукта	CC27992775
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	E-Line-3
Частота	240 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	25.0 V
Номинальный Ток	2.00 A
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	1 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	25 V
Непрерывный ток коллектора	2A
hFE Min	100 @1A, 2V
Максимальная входная мощность	1 W
Усиление постоянного тока (hFE)	200
Рабочая температура (Макс)	200 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 200℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Bulk
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

ZTX649 описание продукта

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This NPN ZTX649 general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

Показывать

ZTX649 Даташит PDF

3 страницы, 67 КБ

12/01/2006

просматривать

ZTX649 Даташит PDF

3 страницы, 62 КБ

12/01/2006

просматривать

ZTX649 Даташит PDF

3 страницы, 88 КБ

03/28/2012

просматривать

ZTX649 Другие Даташит

293 страницы, 936 КБ

06/01/2021

просматривать

ZTX649 Другие Даташит

183 страницы, 647 КБ

06/30/2016

просматривать

ZTX649 Другие Даташит

2 страницы, 75 КБ

02/13/2006

просматривать

ZTX649 Чертежные схемы

1 страницы, 11 КБ

11/04/2009

просматривать

ZTX649 Другие ссылки

1 страницы, 156 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.38352LO33614V22Q0QC0S0