STW3N150 Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STW3N150

ST Microelectronics

N-channel 1500V, 6Ω, 2.5A, PowerMESH™ Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3pF

Наличие: 2,963 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 248.97

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC1175600

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STW3N150 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STW3N150
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC1175600
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	6 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	140 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1500 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	1500 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.30 A
Время Нарастания	47 ns
Входная емкость (Ciss)	939pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	140 W
Время падения	61 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	50 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	140W (Tc)
Длина	15.75 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	20.15 mm
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STW3N150 описание продукта

The STW3N150 is a PowerMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized intrinsic capacitances and Qg. This Power MOSFET designed using the company"s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
100% Avalanche tested
High speed switching
Creepage distance path is 5.4mm

Показывать

STW3N150 Даташит PDF

15 страницы, 760 КБ

10/20/2005

15 страницы, 790 КБ

24 страницы, 1034 КБ

STW3N150 Другие Даташит

24 страницы, 1034 КБ

просматривать

STW3N150 Упаковка

23 страницы, 1057 КБ

02/21/2013

просматривать

STW3N150 Упаковка

23 страницы, 988 КБ

10/21/2011

просматривать

STW3N150 Файл уведомления

5 страницы, 48 КБ

07/28/2016

просматривать

STW3N150 Другие ссылки

1 страницы, 133 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H4.3939LO32787V45Q0QC0S1