STGW80V60DF Купить - ST Microelectronics Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STGW80V60DF

ST Microelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 2,155 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 393.01

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC31114237

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 24.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STGW80V60DF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STGW80V60DF
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC31114237
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	469 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	60 ns
Максимальная входная мощность	469 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	469000 mW
Длина	15.75 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	20.15 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

STGW80V60DF описание продукта

This STGW80V60DF IGBT transistor from STMicroelectronics will work perfectly in your circuit. Its maximum power dissipation is 469000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 175 °C.

Показывать

STGW80V60DF Даташит PDF

18 страницы, 1598 КБ

02/21/2013

просматривать

STGW80V60DF Даташит PDF

11 страницы, 614 КБ

02/21/2013

просматривать

STGW80V60DF Даташит PDF

19 страницы, 1569 КБ

02/08/2016

просматривать

STGW80V60DF Другие Даташит

17 страницы, 191 КБ

04/22/2019

просматривать

STGW80V60DF Файл уведомления

30 страницы, 325 КБ

04/08/2019

просматривать

STGW80V60DF Файл уведомления

9 страницы, 242 КБ

просматривать

STGW80V60DF Файл уведомления

3 страницы, 117 КБ

10/19/2018

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/10/24 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.40393LO47920V73Q0QC0S2