SMUN5313DW1T1G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

SMUN5313DW1T1G

ON Semiconductor

SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA

Наличие: 3,902 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 15.68

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC41269481

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

SMUN5313DW1T1G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	SMUN5313DW1T1G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC41269481
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	SOT-363-6
Количество Каналов	2 Channel
Полярность	NPN+PNP
Рассеяние Мощности	0.385 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	50 V
Непрерывный ток коллектора	100mA
hFE Min	80 @5mA, 10V
Максимальная входная мощность	187 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	385 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

SMUN5313DW1T1G описание продукта

Apply the applications of a traditional bi polar junction transistor, in digital circuits with this npn and PNP SMUN5313DW1T1G digital transistor from ON Semiconductor, ideal for any digital signal processing circuit! This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 385 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

Показывать

SMUN5313DW1T1G Даташит PDF

10 страницы, 132 КБ

11/09/2012

просматривать

SMUN5313DW1T1G Даташит PDF

10 страницы, 101 КБ

03/15/2016

просматривать

SMUN5313DW1T1G Даташит PDF

10 страницы, 175 КБ

03/17/2016

просматривать

SMUN5313DW1T1G Другие Даташит

13 страницы, 264 КБ

07/05/2017

просматривать

SMUN5313DW1T1G Файл уведомления

7 страницы, 43 КБ

03/04/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.84074LO64412V39Q0QC0S1