SI4435DY Купить - ON Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

SI4435DY

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Наличие: 288 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 39.12

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC2212184

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 11.06.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

SI4435DY характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	SI4435DY
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC2212184
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.015 Ω
Рассеяние Мощности	2.5 W
Пороговое Напряжение	1.7 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Время Нарастания	13.5 ns
Входная емкость (Ciss)	1604pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	1 W
Время падения	25 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5 W
Длина	4.9 mm
Ширина	3.9 mm
Высота	1.57 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

SI4435DY описание продукта

The SI4435DY is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS (on)
High power and current handling capability

Показывать

SI4435DY Даташит PDF

11 страницы, 160 КБ

12/28/2007

просматривать

SI4435DY Другие Даташит

9 страницы, 685 КБ

08/03/2020

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/06/11 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.2975LO26734V14Q0QC0S0