BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | NJVNJD1718T4G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC85160800 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-252-3 | |
| Частота | 80 MHz | |
| Полярность | PNP | |
| Рассеяние Мощности | 1.68 W | |
| Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания | 80 MHz | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 50 V | |
| Непрерывный ток коллектора | 2A | |
| hFE Min | 70 | |
| hFE Max | 240 | |
| Максимальная входная мощность | 1.68 W | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 1680 mW | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
