NIS5132MN1TXG Купить - ON Semiconductor Чип управления батареи

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NIS5132MN1TXG

ON Semiconductor

Electronic Fuse Regulator High-Side 3.6A 10-DFN (3x3)

Наличие: 7,832 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 106.03

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC1988138

Категория продукта:

Чип управления батареи

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NIS5132MN1TXG характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NIS5132MN1TXG
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC1988138
Категория продукта	Чип управления батареи
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	10 Pin
Корпус/Пакет	DFN-10
Напряжение Питания (DC)	9.00V (min)
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Входное Напряжение (DC)	12.0 V
Выходной Ток	3.6 A
Количество Стежков	10 Position
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	9 V
Входное напряжение	12 V
Длина	3 mm
Ширина	3 mm
Высота	0.95 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NIS5132MN1TXG описание продукта

The NIS5132MN1TXG is a Resettable Electronic Fuse can greatly enhance the reliability of a hard drive or other circuit from both catastrophic and shutdown failures. It is designed to buffer the load device from excessive input voltage which can damage sensitive circuits. It also includes an overvoltage clamp circuit that limits the output voltage during transients but does not shut the unit down, thereby allowing the load circuit to continue operation. Two thermal options are available, latching and auto-retry.
Integrated power device
Power device thermally protected
No external current shunt required
Internal charge pump
Internal undervoltage lockout circuit

Показывать

NIS5132MN1TXG Даташит PDF

11 страницы, 267 КБ

07/01/2014