NDS351AN Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDS351AN

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN MOSFET Transistor, N Channel, 1.4A, 30V, 0.092Ω, 10V, 2.1V

Наличие: 9,000 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 9.81

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC12081951

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 12.06.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDS351AN характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDS351AN
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC12081951
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	30.0 V
Номинальный Ток	1.20 A
Номинальная Мощность	460 mW
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.092 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	500 mW
Пороговое Напряжение	2.1 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.20 A
Время Нарастания	8 ns
Входная емкость (Ciss)	145pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	460 mW
Время падения	2 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500mW (Ta)
Длина	2.92 mm
Ширина	1.4 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDS351AN описание продукта

The NDS351AN is an N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Ultra-Low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

Показывать

NDS351AN Даташит PDF

5 страницы, 128 КБ

07/23/2003

просматривать

NDS351AN Другие Даташит

8 страницы, 95 КБ

04/23/2008

просматривать

NDS351AN Чертежные схемы

1 страницы, 45 КБ

05/06/2015

просматривать

NDS351AN Каталог продукции

6 страницы, 80 КБ

08/20/1997

просматривать

NDS351AN Другие ссылки

1 страницы, 162 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/06/12 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.82933LO19470V14Q0QC0S0