NDS351AN Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDS351AN

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN MOSFET Transistor, N Channel, 1.4A, 30V, 0.092Ω, 10V, 2.1V

Наличие: 12,714 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 667.88

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC12081951

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDS351AN характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDS351AN
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC12081951
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	30.0 V
Номинальный Ток	1.20 A
Номинальная Мощность	460 mW
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.092 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	500 mW
Пороговое Напряжение	2.1 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.20 A
Время Нарастания	8 ns
Входная емкость (Ciss)	145pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	460 mW
Время падения	2 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500mW (Ta)
Длина	2.92 mm
Ширина	1.4 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDS351AN описание продукта

The NDS351AN is an N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Ultra-Low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS (ON)

Показывать

NDS351AN Даташит PDF

5 страницы, 128 КБ

07/23/2003