NDP6060 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDP6060

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Наличие: 1,211 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 178.29

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC79240466

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDP6060 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDP6060
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC79240466
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	60.0 V
Номинальный Ток	48.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.025 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	100 W
Пороговое Напряжение	2.9 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	60 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	60.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	48.0 A
Время Нарастания	145 ns
Входная емкость (Ciss)	1800pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	100 W
Время падения	77 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	100W (Tc)
Длина	10.67 mm
Ширина	4.7 mm
Высота	16.3 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDP6060 описание продукта

The NDP6060 is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using Fairchild"s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminates the need for an external Zener diode transient suppressor.
Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
High density cell design for extremely low RDS (ON)

Показывать

NDP6060 Даташит PDF

12 страницы, 361 КБ

03/03/1998