MUN5213DW1T1G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MUN5213DW1T1G

ON Semiconductor

SC-88 NPN 50V 100mA

Наличие: 1,420 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 3.75

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC707063

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

MUN5213DW1T1G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MUN5213DW1T1G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC707063
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	SC-70-6
Номинальное Напряжение (DC)	50.0 V
Номинальный Ток	100 mA
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Полярность	N-Channel, NPN
Рассеяние Мощности	0.385 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	50 V
Непрерывный ток коллектора	100mA
hFE Min	80 @5mA, 10V
hFE Max	80
Максимальная входная мощность	250 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	385 mW
Длина	2 mm
Ширина	1.25 mm
Высота	0.9 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

MUN5213DW1T1G описание продукта

Dual Bias ResistorTransistors
NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1G series, two BRT devices are housed in the SOT−363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Features
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Показывать

MUN5213DW1T1G Даташит PDF

8 страницы, 82 КБ

03/26/2014