MJ11015G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MJ11015G

ON Semiconductor

TO-3 PNP 120V 30A

Наличие: 125 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 479.29

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC7368000

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 15.05.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MJ11015G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MJ11015G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC7368000
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-204-2
Номинальное Напряжение (DC)	-120 V
Номинальный Ток	-30.0 A
Выходное Напряжение	120 V
Выходной Ток	30 A
Количество Стежков	2 Position
Полярность	PNP, P-Channel
Рассеяние Мощности	200 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	120 V
Непрерывный ток коллектора	30A
hFE Min	1000 @20A, 5V
Максимальная входная мощность	200 W
Усиление постоянного тока (hFE)	1000
Рабочая температура (Макс)	200 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Gain Bandwidth	4MHz (Min)
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200000 mW
Входное напряжение	5 V
Длина	39.37 mm
Ширина	26.67 mm
Высота	8.51 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 200℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tray
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MJ11015G описание продукта

The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
Collector current (Ic) of -30A
Power dissipation of 200W
Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
Collector emitter breakdown Voltage of -120V
Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current

Показывать

MJ11015G Даташит PDF

4 страницы, 116 КБ

09/02/2008

просматривать

MJ11015G Другие Даташит

5 страницы, 167 КБ

09/02/2008

просматривать

MJ11015G Чертежные схемы

1 страницы, 33 КБ

10/15/2015

просматривать

MJ11015G Другие ссылки

1 страницы, 140 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/05/15 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.3421LO17884V11Q0QC0S0