IXFR200N10P Купить - IXYS Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFR200N10P

IXYS Semiconductor

Single N-Channel 100V 300W 235NC Through Hole Power Mosfet - ISOPLUS247

Наличие: 4 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 954.17

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC104050790

Категория продукта:

Труба MOS

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 28.04.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IXFR200N10P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFR200N10P
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC104050790
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.009 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	300 W
Пороговое Напряжение	5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	133 A
Время Нарастания	35 ns
Напряжение Изоляции	2.5 kV
Обратное время восстановления	150 ns
Входная емкость (Ciss)	7600pF @25V(Vds)
Время падения	90 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300W (Tc)
Ширина	5.21 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IXFR200N10P описание продукта

The IXFR200N10P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switched-mode and resonant-mode power supplies.
Silicon chip on direct-copper-bond substrate - High power dissipation and isolated mounting surface
Low drain to tab capacitance (<30pF)
Avalanche voltage rating
Easy to assembly
Space saving
2500V Electrical isolation voltage

Показывать

IXFR200N10P Даташит PDF

5 страницы, 102 КБ

04/05/2006

просматривать

IXFR200N10P Даташит PDF

5 страницы, 108 КБ

03/28/2012

просматривать

IXFR200N10P Даташит PDF

6 страницы, 101 КБ

02/14/2016

просматривать

IXFR200N10P Примечание по применению

6 страницы, 1946 КБ

12/02/2014

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/04/28 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.64183LO0V1Q0QC0S0