Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | IXFN200N10P | |
Производитель | IXYS Semiconductor | |
ЧипСити Номер продукта | CC18892245 | |
Категория продукта | Труба MOS | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Chassis | |
Количество Выводов | 4 Pin | |
Корпус/Пакет | SOT-227-4 | |
Количество Стежков | 4 Position | |
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 0.0075 Ω | |
Полярность | N-Channel | |
Рассеяние Мощности | 680 W | |
Пороговое Напряжение | 5 V | |
Напряжение Сток-исток (Vds) | 100 V | |
Непрерывный Ток Стока (Ids) | 200 A | |
Время Нарастания | 35 ns | |
Обратное время восстановления | 150 ns | |
Входная емкость (Ciss) | 7600pF @25V(Vds) | |
Максимальная входная мощность | 680 W | |
Время падения | 90 ns | |
Рабочая температура (Макс) | 175 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 680W (Tc) | |
Материал | Silicon | |
Рабочая Температура | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Active | |
Упаковка | Tube | |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
REACH SVHC Compliance Edition | 2015/06/15 | |
ECCN кодекс | EAR99 | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн