IXFK26N120P Купить - IXYS Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFK26N120P

IXYS Semiconductor

TO-264 N-CH 1200V 26A

Наличие: 244 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 2,151.30

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC45213893

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 12.06.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFK26N120P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFK26N120P
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC45213893
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-264-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.5 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	960 W
Пороговое Напряжение	6.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1.2 kV
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	1200 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	26A
Время Нарастания	55 ns
Входная емкость (Ciss)	14000pF @25V(Vds)
Время падения	58 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	960W (Tc)
Длина	19.96 mm
Ширина	5.13 mm
Высота	26.16 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2016/06/20
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFK26N120P описание продукта

Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The IXFK26N120P power MOSFET from Ixys Corporation provides the solution. Its maximum power dissipation is 960000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

Показывать

IXFK26N120P Даташит PDF

4 страницы, 117 КБ

09/25/2007

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/06/12 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.343LO91622V16Q0QC0S0