IRS2153DPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IRS2153DPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.26A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin PDIP Tube

Наличие: 6,165 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 123.64

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11124938

Категория продукта:

Драйвер FET

Упаковка: DIP-8

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 30.07.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IRS2153DPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS2153DPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11124938
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	DIP-8
Напряжение Питания (DC)	10.1V (min)
Рабочее Напряжение	10.1V ~ 16.8V
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	120ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	180.260 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Ток Покоя	800 µA
Время Нарастания	120 ns
Время падения	50 ns
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 15.4V
Напряжение питания (Макс)	16.8 V
Напряжение питания (мин)	10.1 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IRS2153DPBF описание продукта

The IRS2153DPBF is a self-oscillating half-bridge Gate Driver IC using a more advanced silicon platform and incorporates a high voltage half-bridge gate driver with a front end oscillator similar to the industry standard CMOS 555 timer. The HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugged monolithic construction. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Noise immunity is achieved with low di/dt peak of the gate driver. It is based on the popular IR2153 self-oscillating half-bridge gate driver IC.
CT, RT programmable oscillator
Micropower start-up
Non-latched shutdown on CT pin
Internal bootstrap FET
Excellent latch immunity on all inputs and outputs
±50V/ns dV/dt Immunity
ESD protection on all pins
Internal dead time

Показывать

IRS2153DPBF Даташит PDF

14 страницы, 355 КБ

07/19/2006

просматривать

IRS2153DPBF Даташит PDF

14 страницы, 358 КБ

07/19/2006

просматривать

IRS2153DPBF Даташит PDF

15 страницы, 337 КБ

07/19/2006

просматривать

IRS2153DPBF Даташит PDF

15 страницы, 335 КБ

05/15/2016

просматривать

IRS2153DPBF Даташит PDF

10 страницы, 157 КБ

02/07/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/07/30 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.14503LO54806V88Q1QC0S0