IRGPS60B120KDP Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRGPS60B120KDP

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 105A 595000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA Tube

Наличие: 958 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 976.74

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10758904

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRGPS60B120KDP характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRGPS60B120KDP
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10758904
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-274
Номинальная Мощность	595 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	595 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	180 ns
Максимальная входная мощность	595 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	595 W
Длина	16.1 mm
Ширина	5.5 mm
Высота	20.8 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRGPS60B120KDP описание продукта

The IRGPS60B120KDP is a 1200V Ultrafast 5 to 40kHz motor control copack IGBT with soft recovery diode. Hard switching process optimized for high operating frequency. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. HEXFRED diodes optimized for performance and used in bridge configurations.
10µs Short circuit capability
Low VCE (on) non punch through IGBT technology
Square RBSOA
Positive VCE (on) temperature coefficient
Rugged transient performance
Low EMI
Significantly less snubber required
Excellent current sharing in parallel operation
Longer leads for easier mounting

Показывать

IRGPS60B120KDP Даташит PDF

12 страницы, 136 КБ

09/24/2004