IRG4PSH71UDPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IRG4PSH71UDPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA Tube

Наличие: 929 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 1,007.05

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10904171

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Упаковка: Super-247-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 30.07.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IRG4PSH71UDPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRG4PSH71UDPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10904171
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	Super-247-3
Номинальная Мощность	350 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	350 W
Время Нарастания	77.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	110 ns
Максимальная входная мощность	350 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	350 W
Длина	16.1 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	20.8 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IRG4PSH71UDPBF описание продукта

The IRG4PSH71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The ultrafast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations.
Creepage distance increased to 5.35mm
High efficiency
Maximum power density
Optimized for specific application conditions
HEXFRED™ anti-parallel diode minimizes switching losses and EMI

Показывать

IRG4PSH71UDPBF Даташит PDF

11 страницы, 240 КБ

09/20/2004

просматривать

IRG4PSH71UDPBF Даташит PDF

11 страницы, 241 КБ

09/20/2004

просматривать

IRG4PSH71UDPBF Даташит PDF

10 страницы, 326 КБ

05/24/2004

просматривать

IRG4PSH71UDPBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRG4PSH71UDPBF Справочное руководство пользователя

264 страницы, 22893 КБ

01/30/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/07/30 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.00752LO90129V45Q0QC0S1