IRG4PSH71UDPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRG4PSH71UDPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 99A 350000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA Tube

Наличие: 929 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 923.43

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10904171

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRG4PSH71UDPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRG4PSH71UDPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10904171
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	Super-247-3
Номинальная Мощность	350 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	350 W
Время Нарастания	77.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	110 ns
Максимальная входная мощность	350 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	350 W
Длина	16.1 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	20.8 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRG4PSH71UDPBF описание продукта

The IRG4PSH71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The ultrafast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations.
Creepage distance increased to 5.35mm
High efficiency
Maximum power density
Optimized for specific application conditions
HEXFRED™ anti-parallel diode minimizes switching losses and EMI

Показывать

IRG4PSH71UDPBF Даташит PDF

11 страницы, 240 КБ

09/20/2004