IRG4PSC71UDPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRG4PSC71UDPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3Pin(3+Tab) TO-274AA Tube

Наличие: 10,556 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 1,009.66

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC9826365

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRG4PSC71UDPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRG4PSC71UDPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC9826365
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-274-3
Номинальная Мощность	350 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	350 W
Время Нарастания	94.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	82 ns
Максимальная входная мощность	350 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	350000 mW
Длина	15.6 mm
Ширина	5 mm
Высота	20.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRG4PSC71UDPBF описание продукта

The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
Creepage distance increased to 5.35mm
High efficiency
Maximum power density
Optimized for specific application conditions
HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs

Показывать

IRG4PSC71UDPBF Даташит PDF

10 страницы, 516 КБ

09/14/2004