IRFL4310PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFL4310PBF

Infineon

SOT-223 N-CH 100V 2.2A

Наличие: 1,716 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 26.66

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC9663341

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFL4310PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFL4310PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC9663341
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Номинальная Мощность	2.1 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	4 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.2 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	2.1 W
Пороговое Напряжение	2 V
Входная Ёмкость	330pF @25V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	2.2A
Время Нарастания	18 ns
Входная емкость (Ciss)	330pF @25V(Vds)
Время падения	20 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1W (Ta)
Длина	6.7 mm
Ширина	3.7 mm
Высота	1.7 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFL4310PBF описание продукта

The IRFL4310PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
Dynamic dV/dt rating
Ease of paralleling
Advanced process technology
Low static drain-to-source ON-resistance

Показывать

IRFL4310PBF Даташит PDF

9 страницы, 663 КБ

04/30/2004